Pol-HEMT
Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN na monokrystalicznych podłożach GaN

 

mgr Anna Szynka

Instytut Technologii Elektronowej
Al. Lotników 32/46

tel. 22 - 54 87 944

anna.szynka@ite.waw.pl

 
 

Używamy cookies i podobnych technologii m.in. w celu świadczenia usług i w celach statystycznych. Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w Twojej przeglądarce, w jej ustawieniach. Jeżeli wyrażasz zgodę na zapisywanie informacji zawartej w cookies, kliknij „Zamknij”. Jeżeli nie wyrażasz zgody – zmień ustawienia swojej przeglądarki. Więcej informacji znajdziesz w naszej Polityce cookies

Zamknij X