Pol-HEMT
AlGaN/GaN microwave HEMT transistors on monocrystalline GaN substrates

 

Publications

A. Taube, M. Kozubal, J. Kaczmarski, M. Juchniewicz, A. Barcz, J. Dyczewski, R. Jakieła, E. Dynowska,  M. A. Borysiewicz, P. Prystawko, J. Jasiński, P. Borowicz, E. Kamińska, A. Piotrowska

High resistivity isolation for AlGaN/GaN HEMT using Al double-implantation

Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1635 © 201 Materials Research Society
DOI: 10.1557/opl.2014.220

 
 

Używamy cookies i podobnych technologii m.in. w celu świadczenia usług i w celach statystycznych. Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w Twojej przeglądarce, w jej ustawieniach. Jeżeli wyrażasz zgodę na zapisywanie informacji zawartej w cookies, kliknij „Zamknij”. Jeżeli nie wyrażasz zgody – zmień ustawienia swojej przeglądarki. Więcej informacji znajdziesz w naszej Polityce cookies

Zamknij X