Pol-HEMT
AlGaN/GaN microwave HEMT transistors on monocrystalline GaN substrates
A. Taube, M. Kozubal, J. Kaczmarski, M. Juchniewicz, A. Barcz, J. Dyczewski, R. Jakieła, E. Dynowska, M. A. Borysiewicz, P. Prystawko, J. Jasiński, P. Borowicz, E. Kamińska, A. Piotrowska
High resistivity isolation for AlGaN/GaN HEMT using Al double-implantation
Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1635 © 201 Materials Research Society
DOI: 10.1557/opl.2014.220