Pol-HEMT
AlGaN/GaN microwave HEMT transistors on monocrystalline GaN substrates

 

Conferences

2013 MRS Fall Meeting & Exhibit, December 1-6, 2013, Boston, Massachusetts

A. Taube, M. Kozubal, J. Kaczmarski, M. Juchniewicz, A. Barcz, J. Dyczewski, R. Jakieła, E. Dynowska, M.A. Borysiewicz,   P. Prystawko, J. Jasiński, P. Borowicz, E. Kamińska, A. Piotrowska:
High resistivity isolation for AlGaN/GaN HEMT using Al double-implantation

 
 

Używamy cookies i podobnych technologii m.in. w celu świadczenia usług i w celach statystycznych. Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w Twojej przeglądarce, w jej ustawieniach. Jeżeli wyrażasz zgodę na zapisywanie informacji zawartej w cookies, kliknij „Zamknij”. Jeżeli nie wyrażasz zgody – zmień ustawienia swojej przeglądarki. Więcej informacji znajdziesz w naszej Polityce cookies

Zamknij X