Strategia badań

Przyjęta strategia badawcza zakłada ścisłą współpracę w czterech kluczowych obszarach:

• modelowanie i projektowanie tranzystorów HEMT
• krystalizacja, wzrost epitaksjalny i charakteryzacja materiałów i struktur półprzewodnikowych GaN i AlGaN/GaN
• technologia procesów wytwarzania i charakteryzacja struktur przyrządowych HEMT AlGaN/GaN
• montaż i pomiary końcowe tranzystorów mikrofalowych HEMT