Pol-HEMT
Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN na monokrystalicznych podłożach GaN
Instytut Technologii Elektronowej Instytut Fizyki PAN
Al. Lotników 32/46 Al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa 02-668 Warszawa
koordynator projektu kontakt:
kontakt: prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska prof. dr hab. Zbigniew R. Żytkiewicz
ania@ite.waw.pl zytkie@ifpan.edu.pl
Instytut Radioelektroniki Instytut Wysokich Ciśnień PAN
Politechniki Warszawskiej ul. Sokołowska 29/37
ul. Nowowiejska 15/19 01-142 Warszawa
00-668 Warszawa kontakt:
kontakt: dr Paweł Prystawko
dr inż. Wojciech Wojtasiak pprysta@unipress.waw.pl
wwojtas@ire.pw.edu.pl
AMMONO S.A. TOP-GaN Sp. z o.o.
ul. Prusa 2 ul. Sokołowska 29/37
00-493 Warszawa 01-142 Warszawa
kontakt: kontakt:
mgr Małgorzata Iwińska dr Piotr Kruszewski
iwinska@ammono.com kruszew@unipress.waw.pl